300V 4A 30A पल्स SMU इकाई P300B अर्धचालक और सामग्री के लिए स्रोत माप

P300B बेंचटॉप पल्स सोर्समीटर हाइब्रिड सिग्नल प्रोसेसिंग तकनीक को एकीकृत करता है, जो एक उच्च परिशुद्धता एनालॉग फ्रंटएंड को एक बुद्धिमान डिजिटल प्रोसेसिंग यूनिट के साथ जोड़ता है।इसकी 5 इंच की टचस्क्रीन एक सहज नियंत्रण केंद्र और एक वास्तविक समय डेटा विज़ुअलाइज़ेशन पोर्टल दोनों के रूप में कार्य करती है, जो उपयोगकर्ताओं को एक ग्राफिकल इंटरफ़ेस के माध्यम से परीक्षण प्रगति और परिणामों की निगरानी करने में सक्षम बनाता है। the P300B supports four-quadrant operation to simulate complex electrical scenarios—from forward driving and reverse braking to energy recovery—providing robust technical support for advanced applications in semiconductors, नैनोमटेरियल्स, ऑर्गेनिक इलेक्ट्रॉनिक्स और प्रिंटेड इलेक्ट्रॉनिक्स।

उत्पाद की विशेषताएं

▪अति-उच्च परिशुद्धता और स्थिरता:यह 0.03% सटीकता (1μA1A वर्तमान, पूर्ण वोल्टेज रेंज) और विस्तारित रेंज (10nA, 100nA, 4A, 10A, 30A) के लिए 0.1% सटीकता प्राप्त करता है।तापमान-स्थिर सर्किट और विद्युत चुम्बकीय परिरक्षण पर्यावरण हस्तक्षेप को कम करते हैं.

▪स्मार्ट टच इंटरैक्शनः5 इंच का टचस्क्रीन जेस्चर कंट्रोल (ज़ूम, स्वाइप) और निर्देशित वर्कफ़्लो के साथ जटिल सेटअप को सरल बनाता है।

▪पूर्ण सीमा कवरेज:माप 1pA30A (पल्स मोड), 1pA4A (DC मोड), और 0pA300V विभिन्न उपकरणों के लिए निर्बाध अनुकूलन के लिए ऑटो-रेंजिंग के साथ।

▪प्रेसिजन पल्स कंट्रोल:डीडीएस (प्रत्यक्ष डिजिटल संश्लेषण) और फीडबैक एल्गोरिदम के माध्यम से 200μs न्यूनतम पल्स चौड़ाई अस्थायी प्रतिक्रिया परीक्षण के लिए स्थिर आयाम, आवृत्ति और चरण सुनिश्चित करती है।

▪चार-चौथाई लचीलापनःईवी या बिजली प्रणालियों में ऊर्जा अवशोषण और द्विदिश धारा प्रवाह जैसे वास्तविक दुनिया के परिदृश्यों का अनुकरण करता है।

▪अनुकूलन योग्य स्कैनःरैखिक/लोगरिथमिक स्वीप, बहु-खंड अनुक्रम और विशेष परीक्षण के लिए उपयोगकर्ता-परिभाषित पैरामीटर।

▪उन्नत डेटा विश्लेषणःअंतर्निहित सॉफ्टवेयर I-V/P-V वक्र, हिस्टोग्राम और रिपोर्ट उत्पन्न करता है। एक क्लिक USB स्टोरेज और RS-232/GPIB/LAN के माध्यम से दूरस्थ डेटा साझा करना।

उत्पाद पैरामीटर

आवेदन

▪अर्धचालक अनुसंधान एवं विकास:उच्च वोल्टेज/उच्च तापमान की स्थितियों में प्रतिरोधक, डायोड, ट्रांजिस्टर और व्यापक बैंड-गैप अर्धचालकों (SiC/GaN) की विशेषता।

▪ऊर्जा एवं विद्युत प्रणालियाँ:सौर सेल की दक्षता, बैटरी चार्ज/डिचार्ज चक्र और ग्रिड से जुड़े इन्वर्टर्स/कन्वर्टर्स की विश्वसनीयता का परीक्षण करें।

▪सेंसर:औद्योगिक/उपभोक्ता अनुप्रयोगों के लिए तापमान/दबाव/गैस सेंसर रैखिकता, प्रतिक्रिया समय और स्थिरता को मान्य करें।

▪उन्नत सामग्रीःग्राफीन/नैनोवायर चालकता, कार्बनिक ई-इंक प्रदर्शन, और लचीला/पहने जाने योग्य इलेक्ट्रॉनिक्स का विश्लेषण करें।